IPC70N04S54R6ATMA1

類別 分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裝 散裝
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 70A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 4.6 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.4V @ 17μA
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TDSON-8-34
封裝/外殼 8-PowerTDFN
漏源電壓（Vdss） 40 V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 24.2 nC @ 10 V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1.43 pF @ 25 V