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SI5419DU-T1-GE3

發布時間:2021/7/1 9:25:00 訪問次數:147 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

SI5419DU-T1-GE3


製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: ChipFET-8
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 12 A
Rds On - 漏-源電阻: 33 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 45 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 31 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.75 mm
長度: 3 mm
系列: SI54
寬度: 1.8 mm
品牌: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI5419DU-GE3
每件重量: 85 mg

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