SIJA74DP-T1-GE3製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8L
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 81.2 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.99 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.4 V
Qg - 閘極充電: 27 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 46.2 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
品牌: Vishay / Siliconix
互導 - 最小值: 50 S
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 25 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns
每件重量: 506.600 mg