專業代理MOS管優勢產品TCS1025 SOT-23 4.2A 深圳現貨 一級代理。

Features
VDS (V) = -20V
RDS(ON)＜0.065 Ω (VGS = -4.5V)
RDS(ON)＜0.100 Ω (VGS = -2.5V)
RDS(ON)＜0.250 Ω (VGS = -1.8V)
特征
TrenchFET®功率MOSFET
100%Rg測試
符合RoHS指令2002/95/EC
應用
負荷開關
PA開關
DC/DC轉換器

MOS管的構造
在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道(NPN型)增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道(PNP型)增強型MOS管。

SYT01N05DWC DFN1006
RSTD9D5V0 SOD-923
SM2326NSANC SOT-23
ESD5B300TA SOD-523
SE05D3V01GE SOD-323
MS05D3V0 SOD-323
SE24T2S02G SOT-23
MS24T2S02 SOT-23
ESDBL8V0Y1 WBFBP-02C-A
PESDU0711P1A DFN1006
AM1350AF SOD-882
CESDP0402UC4VB 0402
PESDNC2FD5VU DFN1006