FQP13N06L 製造商: ON Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 13.6 A
Rds On - 漏-源電阻: 110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 6.4 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 45 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: QFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
系列: FQP13N06L
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 4.7 mm
品牌: ON Semiconductor / Fairchild
互導 - 最小值: 7 S
下降時間: 40 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 90 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
零件號別名: FQP13N06L_NL
每件重量: 2 g