IGT60R190D1SATMA1 製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: GaN
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 12.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 190 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 900 mV
Qg - 閘極充電: 3.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 55.5 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolGaN
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
產品: CoolGaN
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 12 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
零件號別名: IGT60R190D1S SP001701702
每件重量: 745 mg