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標準包裝 98
類別 集成電路 (IC)
家庭 Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列 -
放大器類型 通用
電路數 2
輸出類型 滿擺幅
壓擺率 0.03 V/µs
增益帶寬積 85kHz
-3db 帶寬 -
電流 - 輸入偏置 7nA
電壓 - 輸入失調 300µV
電流 - 電源 175µA
電流 - 輸出/通道 25mA
電壓 - 電源，單/雙 (±) 3 V ~ 36 V，±1.5 V ~ 18 V
工作溫度 -40°C ~ 125°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SOIC N
包裝 管件
憶阻器最早是電子工程師蔡少棠在1971年發表的創新論文“憶阻器——缺失的電路元件”(IEEE電路理論學報)中提出的。這份廣受同行評議的聲明震驚了許多電子工程師，因為聲明詳細介紹了電路理論中如何有一條“缺失的鏈路”。蔡少棠表示，通過必要的理論計算，在電阻、電容和電感之外必定存在第4種無源電子元件。他的論點是元素周期表發明者——俄羅斯化學家門捷列夫的回憶錄。門捷列夫聲稱通過數學模型計算可以發現在周期表中必定存在缺失的元素。兩人的觀點都是正確的。門捷列夫的缺失元素最終都被發現，而2006年惠普高級工程師Stan Williams在普通半導體材料中同樣發現了蔡少棠所說的缺失的憶阻器。

蔡少棠把他的第4種無源電路元件稱為憶阻器，因為它能通過改變內部內阻“記住”最近流過的電流大小，因此可以成為一種記憶型電阻。惠普的成果是二氧化鈦，但從那以后許多其它半導體制造商都爭相披露他們也在研究憶阻性材料，并試圖創建一種稱為電阻性隨機訪問存儲器(ReRAM)的通用存儲器類型。因此，在蔡少棠斷言憶阻器存在的大約40年后，這些材料最終將實現廣泛的商用化，并用于實現非易失性、密度比閃存高、速度比DRAM快的通用存儲器芯片。