NCE75TD120VT_NCE40P05S導讀

內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。

簡單來說電機是靠NCE80H12這種MOS管的輸出電流來驅動的，輸出電流越大（為了防止過流燒壞MOS管，控制器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力，所以MOS管在電動車控制器中起到非常重要的作用。

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NCE15H10

NCE6080K匹配KIA產品3306，KIA MOS管3306共有A和B兩個規格書。下文會介紹3306和NCE6080K兩個MOS管具體參數、封裝與規格書等。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。

可以說，在那段較黑暗的日子里Zandman學習掌握的知識為他開創Vishay奠定了基礎。Zandman于1928年生于波蘭，在二戰納粹大屠殺期間，Zandman外婆曾經救助過的老管家收留了Zandman，他和其他四個人在管家家的地板下躲藏了17個月，才得以逃過了大屠殺。1956年，Zandman移居到美國，并在1962年創辦了Vishay。。在不見天日的17個月里，Zandman的叔叔教他代數、三角、幾何和物理。戰后，Zandman移民到法國，獲得機械工程、應用機械和普通物理的學位，在巴黎的Sorbonne大學獲得機械物理的博士學位。

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NCE30P15S

應用 ● 電源開關應用 ● 硬開關和高頻電路 ● 不間斷電源。

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

NCE3416 NCE2010E NCE2006NE NCE8804 NCE8651Q 。

一般特征 ● V DS = 30V，I D = 95A R DS（ON） <5.1mΩ@ V GS = 10V R DS（ON） <8.5mΩ@ V GS = 5V ● 高密度電池設計，超低Rdson ● 全面表征雪崩電壓和電流 ● 良好的穩定性和均勻性高? AS ● 出色的封裝，散熱效果好。

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NCE3401的性能參數表現還是不錯的，適用于作負載開關或脈寬調制應用，阻抗值也比較低，而且新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結功率MOSFET特色工藝技術，其部分產品的參數性能與送樣表現，可以與國外的MOS管相差無幾，比如同樣用在鋰電池保護板中，NCE3401，AO3401，IRLML5203TR，DMP3098L-7，我認為相比較來看功能可以滿足，并且價格適中的NCE3401更加合適。

NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

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