最大直流集電極電流 200 mA 每片芯片元件數目 1
最大集電極-發射極電壓 40 V 高度 0.94mm
封裝類型 SOT-23 最大集電極-發射極飽和電壓 0.3 V
安裝類型 表面貼裝 最高工作溫度 +150 °C
最大功率耗散 300 mW 最低工作溫度 -55 °C
最小直流電流增益 40 長度 2.9mm
晶體管配置 單 尺寸 0.94 x 2.9 x 1.3mm
最大集電極-基極電壓 60 V 最大基極-發射極飽和電壓 0.95 V
最大發射極-基極電壓 6 V 寬度 1.3mm
最大工作頻率 300 MHz
HC32F146J8UA-QFN48
HC32F146F8TA-LQ32
HC32F120F6TA- LQ32
HC32F120F8TA- LQ32
HC32F120H6TA- LQ44
HC32F120H8TA- LQ44
HC32F460JEUA-QFN48TR
HC32F460JETA-LQFP48
HC32F460KEUA-QFN60TR
HC32F460KETA-LQFP64
HC32F460PETB-LQFP100
HC32F460PEHB-VFBGA100
HC32F460JCTA-LQFP48
HC32F460KCTA-LQFP64
HC32F460PCTB-LQFP100
HC32M120F6TB -LQ32
HC32M120J6TB -LQ48
HC32M140KATA-LQ64
HC32M140J8TA-TQFP48
HC32M140J8UA-QFN48
HC32M140F8TA-LQ32