NCE8205t_NCE60PD05S導讀

我們所見的mos管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

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HM50P06K

電感器符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。IHLP-7575GZ-51封裝采用100%無鉛（Pb）屏蔽復合結構，蜂鳴噪聲降至超低水平，對熱沖擊、潮濕和機械振動具有很強的耐受能力，可無飽和處理高瞬變電流尖峰。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

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NCE60P70D

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

。Vantam的較新頭戴耳機放大器支持較大384K/32 bit的PCM和較大11.2 MHz的DSD，同時讓用戶能夠享受均衡音頻的寬廣音域和立體聲效果。這些產品的外殼采用堅固的碳纖維加強材料，外形時尚，內部包含高性能運算放大器、頭戴耳機放大器、DAC(數/模轉換器)、數字聲音采樣(DSUS)和USB音頻處理器。

Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

MOS管在保護板中的作用是：1、檢測過充電，2、檢測過放電，3、檢測充電時過電電流，4、檢測放電時過電電流，5、檢測短路時過電電流。

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