製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 55 V
Id - C連續漏極電流: 12 A
Rds On - 漏-源電阻: 175 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 12.7 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 45 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 37 ns
互導 - 最小值: 2.5 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 55 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 23 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRF9Z24NPBF SP001555934
每件重量: 2 g