NCE3095G_NCEP50P80AK導讀
MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和D間導電通路就形成。作為驅動部分的開關管，MOS管的主要被關注點是耐壓，耐流值以及開關速度。
VentureCraft是在這方面打頭陣的一家公司，其在高分辨率便攜式放大器、音樂播放器和頭戴耳機放大器(包括廣受歡迎的SounDroid Vantam產品線)研發領域處于領先水平。盡管高分辨率技術目前在音頻市場上才剛剛起步，但其演變已然展開。。
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NCE6990
Vishay Draloric TNPU e3系列電阻具有TNPW e3產品公認的可靠性并具有更高的精度，TCR低，公差不大于 0.02 %，具有優異的長期穩定性—例如，在額定功率P70條件下，1,000小時最大阻值變化率≤ 0.05 %。這種獨特技術特性使這款經過AEC Q200認證的電阻非常適合用于測試測量、汽車、工業、醫療和通信設備中運算放大器和傳感器檢測電路等應用。
該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家，擁有71項專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業榮譽獎章，法國榮譽勛章等眾多獎項。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。
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NCEP85T30T
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。
對于Vantam的模擬信號通道(包括低通濾波器[LPF]、負反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉換器及頭戴耳機放大電路)的微調，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。。去年，當VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質量后，開始指定使用Vishay產品。過去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉向薄膜技術。
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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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