NCE3400E_NCEP30T12G導讀

上面就是功率mos管NCE80H12的規格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。

MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和D間導電通路就形成。作為驅動部分的開關管，MOS管的主要被關注點是耐壓，耐流值以及開關速度。

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NCE1520K

。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。

該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家，擁有71項專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業榮譽獎章，法國榮譽勛章等眾多獎項。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。

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NCEP85T25VD

NCE2012 NCE20H10G NCE20H11 NCE3406N NCE2014ES 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。

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而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

電芯相當于鋰電池的心臟，而鋰電池保護板主要由保護芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構成。

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