制造商: Cree, Inc.
產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管類型: HEMT
技術: GaN-on-SiC
工作頻率: 1.2 GHz to 1.4 GHz
增益: 18 dB
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V
Id-連續漏極電流: 10 A
輸出功率: 600 W
最大漏極/柵極電壓: -
安裝風格: Screw Mount
封裝 / 箱體: H-36248-2
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Wolfspeed / Cree
產品類型: RF JFET Transistors
工廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V