NCE30H11G_NCEP40ND80G導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出溫度系數（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。

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SUD50P06-15-GE3

。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。

Vishay Draloric TNPU e3系列電阻具有TNPW e3產品公認的可靠性并具有更高的精度，TCR低，公差不大于 0.02 %，具有優異的長期穩定性—例如，在額定功率P70條件下，1,000小時最大阻值變化率≤ 0.05 %。這種獨特技術特性使這款經過AECQ200認證的電阻非常適合用于測試測量、汽車、工業、醫療和通信設備中運算放大器和傳感器檢測電路等應用。

該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家，擁有71項專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業榮譽獎章，法國榮譽勛章等眾多獎項。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

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NCE60P20F

這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。

對于Vantam的模擬信號通道(包括低通濾波器[LPF]、負反饋電路[NFB]、前置放大器IC、IV轉換器及頭戴耳機放大電路)的微調，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式電阻。。去年，當VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF電阻(如圖1所示)能夠提供出色的聲音質量后，開始指定使用Vishay產品。過去幾年中，由于專注于提供音頻性能差異化，該公司轉向薄膜技術。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

鋰電池主要由兩大塊構成，電芯和鋰電池保護板PCM。

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