UF3SC120009K4S
製造商:
UnitedSiC
產品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細資料
技術:
SiC
安裝風格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-247-4
晶體管極性:
N-Channel
通道數:
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
1.2 kV
Id - C連續漏極電流:
120 A
Rds On - 漏-源電阻:
11 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
4 V
Qg - 閘極充電:
234 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
Pd - 功率消耗 :
789 W
通道模式:
Enhancement
公司名稱:
SiC FET
封裝:
Tube
品牌:
UnitedSiC
配置:
Single
產品類型:
MOSFET
系列:
UF3SC
原廠包裝數量:
30
子類別:
MOSFETs
每件重量:
6 g
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