NCE4080K_NCEP4060QU導讀

電子行業中有許多的知名品牌，每一個品牌就如同人名，其來源與命名都帶有各自獨特的風格。為公司命名時創始人融入了他們對過去的緬懷、對未來的期望，一個簡單的名字，它的背后承載著許多不為人知的故事……。它們有今時今日的成功，創始人功不可沒。

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

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NCE0160AG

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。

原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。

。今天Felix Zandman博士寫的物理書在很多大學作為基礎教材使用，他的自傳被譯成中文和其他很多種語言。Felix Zandman經歷了大屠殺，失去了至親，在漆黑的地下、在死亡陰霾中生活了17個月，他卻并未因此一蹶不振，他在苦難中堅強，以他的個人才華創辦了Vishay，在電子元器件行業乃至科技發展史上留下濃重的一筆。2004年 財富雜志選擇Vishay作為美國較令人欽佩的公司之一。

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NCE60P09S

可變電阻區（UDS 在這個區域內，UDS增加時，ID線性增加。在低UDS分開夾斷電壓較大時，MOS管相當于一個電阻，此電阻跟著UGS的增大而減小。截止區（UGS）。在導電溝道挨近夾斷時，增長變緩。圖MOS管的漏極輸出特性場效應晶體管的輸出特性能夠劃分為四個區域：可變電阻區、截止區、擊穿區和恒流區。

MOSFET的特性能夠用搬運特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。 。圖3是某種場效應管的搬運特性。搬運特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時，柵極電壓UGS與相對應的漏極電流ID之間的關系曲線。

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管型號和增強型的P溝道MOS管型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

功率MOSFET應用在開關電源和逆變器等功率變換中，就是工作在截止區和擊穿區兩個區。擊穿區在相當大的漏——源電壓UDS區域內，漏極電流近似為一個常數。 。當UDS加大道必定數值今后，漏極PN結發生擊穿，漏電流疾速增大，曲線上翹，進入擊穿區。飽滿區（UDS>UGS-UT）在上述三個區域保衛的區域即為飽滿區，也稱為恒流區或放大區。

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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

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