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制造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id-連續漏極電流: 3 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
工作頻率: 136 MHz to 941 MHz
增益: 15 dB
輸出功率: 8 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DFN-16
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: NXP Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 9.8 S
濕度敏感性: Yes
通道數量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 65.7 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V , 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
零件號別名: 935346918515
單位重量: 0.001 mg