NCE1102N_NCEP0178D導讀

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

而這款場效應管NCE80H12背后的新潔能利用自身技術優勢，與8英寸晶圓代工廠、封裝測試代工廠緊密合作，具備完善的質量管理體系，確保產品的持續品質和穩定供貨。

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NCE3401A

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

該三個電容參數具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。MOS管規格書中有三個寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。

原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，較終使擴散運動達到平衡）；。

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NCEP3060EQ

當外加正向電壓增大時，非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大，外加電壓減小時，變化相反。擴散電容：當外加正向電壓時，靠近耗盡層交界面的非平衡少子濃度高，遠離非平衡少子濃度低，且濃度自高到底逐漸衰減直到0。該現象中電荷積累和釋放的過程與電容器充放電過程相同，稱為擴散電容。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

MOSFET的特性能夠用搬運特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。 。圖3是某種場效應管的搬運特性。搬運特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時，柵極電壓UGS與相對應的漏極電流ID之間的關系曲線。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

。MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。

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