製造商: onsemi
產品類型: IGBT 電晶體
RoHS: 詳細資料
技術: Si
封裝/外殼: TO-247G03-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 1200 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.9 V
柵極發射機最大電壓: 25 V
連續集電極電流在25 C: 30 A
Pd - 功率消耗 : 333 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
系列: FGH15T120SMD
封裝: Tube
品牌: onsemi / Fairchild
集電極最大連續電流Ic : 15 A
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
零件號別名: FGH15T120SMD_F155
每件重量: 6.390 g