金屬氧化膜電阻器 STM32F410C8U6TR
在絕緣棒上沉積一層金屬氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高溫下穩定,耐熱沖擊,負載能力強。
4.4 合成膜電阻
將導電合成物懸浮液涂敷在基體上而得,因此也叫漆膜電阻。由于其導電層呈現顆粒狀結構,所以其噪聲大,精度低,主要用他制造高壓, 高阻, 小型電阻器。
5、金屬玻璃鈾電阻器
將金屬粉和玻璃鈾粉混合,采用絲網印刷法印在基板上。 耐潮濕, 高溫, 溫度系數小,主要應用于厚膜電路。
6、貼片電阻 SMT STM32F410C8U6TR
片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式,他的電阻體是高可靠的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成,電極采用銀鈀合金漿料。體積小,精度高,穩定性好,由于其為片狀元件,所以高頻性能好。
STM32F410C8U6TR基于ARM® Cortex®-M4內核,采用了意法半導體的NVM工藝和ART Accelerator™,在高達84 MHz的工作頻率下通過閃存執行時其處理性能達到225 DMIPS/608 CoreMark,這是迄今所有基于Cortex-M內核的微控制器產品所達到的最高基準測試分數。
它由于采用了動態功耗調整功能,通過閃存執行指令時的電流消耗大大降低。
STM32F410C8U6TR屬于STM32F4系列的入門級微控制器,是尺寸最小、成本最低的解決方案,具有卓越的動態功耗效率。
它帶DSP和FPU,具有64 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
它具有高集成度,適合用于消費、工業和家電領域等各種應用,并可用于物聯網 (IoT) 解決方案。
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STM32F410C8U6TR參數
料號 STM32F410C8U6TR
特性 支持BAM的STM32動態效率MCU,帶DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有64 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
狀態 Active
封裝 UFQFPN 48 7x7x0.55 mm
核心 Arm Cortex-M4
操作頻率(MHz) 100
程序存儲器大小 (kB) 64
雙組閃存 false
數據RAM大小(kB) 32
計時器(16-bit) 4
計時器 (32-bit) 1
其他計時器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC轉換器數量 1
通道數量 10
D/A轉換器 1
輸入/輸出端數量 36
顯示控制器 -
CAN接口數量 -
I2C接口數量 3
SPI接口數量 3
I2S接口數量 3
USART接口數量 3
UART接口數量 -
存儲器擴展接口 -
USB類型 -
加密技術 -
TRNG -
電源電壓 (V) min 1.7
電源電壓(V) max 3.6
靜態電流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作電流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作溫度(°C) min -40
工作溫度 (°C) max 85
STM32F410C8U6TR電路原理圖" alt="STM32F410C8U6TR電路原理圖" />
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STM32L412TBY6
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STM32F410C8U6TR
STM32F410C8U6TR
發布時間:2021/9/11 9:37:00 訪問次數:280 發布企業:深圳市西昂特科技有限公司
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