由于電壓升高到 J2 結的雪崩擊穿電壓后,J2 結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子進入 N1 區,空穴進入 P2 區。進入 N1 區的電子與由 P1 區通過 J1 結注入 N1 區的空穴復合。同樣,進入 P2 區的空穴與由 N2 區通過 J3 結注入 P2 區的電子復合，雪崩擊穿后，進入 N1 區的電子與進入 P2 區的空穴各自不能全部復合掉。這樣，在 N1 區就有電子積累，在 P2 區就有空穴積累，結果使 P2 區的電位升高，N1 區的電位下降，J2 結變成正偏，只要電流稍有增加,電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖 2 中的虛線 AB 段。這時 J1、J2、J3 三個結均處于正偏，晶閘管便進入正向導電狀態——通態,此時，它的特性與普通的PN 結正向特性相似，如圖 2 的 BC 段。
它基于ARM® Cortex®-M4內核，采用了意法半導體的NVM工藝和ART Accelerator™，在高達84 MHz的工作頻率下通過閃存執行時其處理性能達到225 DMIPS/608 CoreMark，這是迄今所有基于Cortex-M內核的微控制器產品所達到的zui高基準測試分數。
STM32F413VHH3由于采用了動態功耗調整功能，通過閃存執行指令時的電流消耗大大降低。
STM32F413VH屬于STM32F4系列的入門級微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解決方案，具有卓越的動態功耗效率。
STM32F413VH帶DSP和FPU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
它具有高集成度，適合用于消費、工業和家電領域等各種應用，并可用于物聯網 (IoT) 解決方案。
如有需要，歡迎聯系，電話：0755-82524647，手機/微信：13049865222，QQ：1711624997。
STM32F413VHH3" alt="STM32F413VHH3" />STM32F413VHH3參數
料號 STM32F413VHH3
特性 帶DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
狀態 Active
封裝 UFBGA 100 7x7x0.6 P 0.5 mm
內核 Arm Cortex-M4
操作頻率(MHz) 100
程序存儲器大小 (kB) 1536
雙組閃存 false
數據RAM大小(kB) 320
計時器(16-bit) 12
計時器 (32-bit) 2
其他計時器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC轉換器數量 1
通道數量 16
D/A轉換器 2
輸入/輸出端數量 81
顯示控制器 -
CAN接口數量 3
I2C接口數量 3
SPI接口數量 5
I2S接口數量 5
USART接口數量 4
UART接口數量 6
存儲器擴展接口 FSMC,Quad SPI
USB類型 USB OTG FS
加密技術 -
TRNG true
電源電壓 (V) min 1.7
電源電壓(V) max 3.6
靜態電流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作電流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作溫度(°C) min -40
工作溫度 (°C) max 125
STM32F413VHH3電路原理圖" alt="STM32F413VHH3電路原理圖" />作為ST代理分銷商，深圳西昂特科技備有STM32F413VHH3現貨并提供樣品零售。公司承諾所有產品均為原裝，圖片批次僅為參考，新批次隨時更新，如需了解更多品牌，產品型號規格請咨詢我們的銷售人員，我們將為你詳細解答。如需技術支持，請向西昂特科技技術部尋求選型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F413VHH3以外，還提供多種規格多種品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等頻率晶體及有源或溫補晶振，時鐘芯片，陀螺儀傳感器，濾波器，雙工器，連接器等。如有需要，歡迎垂詢。
GD32H730IBI6
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GD32H742VIT6
