品牌 INFINEON/英飛凌
封裝 TDSON-8
批號 21+
產品屬性
屬性值
搜索類似
制造商:
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TDSON-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
80 V
Id-連續漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導通電阻:
4.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
56 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
114 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降時間:
9 ns
正向跨導 - 最小值:
40 S
高度:
1.27 mm
長度:
5.9 mm
產品類型:
MOSFET
上升時間:
14 ns
工廠包裝數量:
5000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關閉延遲時間:
32 ns
典型接通延遲時間:
16 ns
寬度:
5.15 mm
零件號別名:
BSC57N8NS3GXT SP000447542 BSC057N08NS3GATMA1
單位重量:
100 mg
英飛凌 - 國際整流器功率 MOSFET 可以提高產品的效率、功率密度及成本效益。OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ N 溝道功率 MOSFET 全線產品可以在開關模式電源（SMPS）、電機控制與驅動、逆變器和計算中實現創新與性能。OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 系列包含 20V 到 300V 的功率 MOSFET 產品。英飛凌供應 OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 產品系列。這是兩個高度創新的產品系列，一貫符合功率系統設計關鍵規格中的最高品質和性能要求。OptiMOS™ 是發電、供電、用電市場領先的高效解決方案。
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