品牌 INFINEON/英飛凌
封裝 TO-252
批號 21+
產品屬性
屬性值
搜索類似
制造商:
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續漏極電流:
3.2 A
Rds On-漏源導通電阻:
1.26 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.5 V
Qg-柵極電荷:
9.4 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
28.4 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
CoolMOS
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降時間:
20 ns
高度:
2.3 mm
長度:
6.5 mm
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7 ns
系列:
CoolMOS C6
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關閉延遲時間:
40 ns
典型接通延遲時間:
8 ns
寬度:
6.22 mm
零件號別名:
IPD60R1K4C6 SP001292870
單位重量:
330 m
CoolMOS™ 功率晶體管
InfineonCoolMOS™ 功率晶體管采用面向高壓功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技術,該技術根據超結原理 (SJ) 設計,并由 Infineon Technologies 率先應用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶體管融合了一流SJ MOSFET供應商的行業經驗,并兼具高度的創新性。 它在提供快速開關SJ MOSFET的所有優勢的同時,絲毫沒有犧牲易用性。極低的開關和傳導損耗使開關應用更加高效、小巧、輕便,散熱效果也更佳。
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Infineon Technologies 擴展了采用 CoolMOS™ 技術的 CoolMOS® 功率晶體管產品,該技術根據超結原理設計,適用于高壓功率 MOSFET 。 這些CoolMOS®功率晶體管具備快速開關SJ MOSFET的所有優勢,同時提供堅固的超高速體二極管。 Infineon Technologies CoolMOS®功率晶體管尤其適用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服務器和電信等應用的諧振開關PWM階段。
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譚先生;18529116415 微信同步
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