MCH6662_SUF1002導讀

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出溫度系數（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。

上面就是功率mos管NCE80H12的規格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。

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APM9926KC-TRL

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

Felix Zandman經歷了大屠殺，失去了至親，在漆黑的地下、在死亡陰霾中生活了17個月，他卻并未因此一蹶不振，他在苦難中堅強，以他的個人才華創辦了Vishay，在電子元器件行業乃至科技發展史上留下濃重的一筆。今天Felix Zandman博士寫的物理書在很多大學作為基礎教材使用，他的自傳被譯成中文和其他很多種語言。。2004年 財富雜志選擇Vishay作為美國較令人欽佩的公司之一。

MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

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TPC8210

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

飽滿區（UDS>UGS-UT）在上述三個區域保衛的區域即為飽滿區，也稱為恒流區或放大區。功率MOSFET應用在開關電源和逆變器等功率變換中，就是工作在截止區和擊穿區兩個區。 。擊穿區在相當大的漏——源電壓UDS區域內，漏極電流近似為一個常數。當UDS加大道必定數值今后，漏極PN結發生擊穿，漏電流疾速增大，曲線上翹，進入擊穿區。

MOS管寄生電容結構如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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