一般說明：GD32F103RCT6
GD32F103RCT6器件是基于Arm®的32位通用微控制器Cortex®-M3RISC內核在處理能力，降低功耗方面具有最佳比率消耗和外圍設備。 Cortex®-M3是下一代處理器內核，與嵌套向量中斷控制器（NVIC），SysTick計時器和高級調試支持。
GD32F103RCT6器件集成了Arm®Cortex®-M332位處理器內核以108 MHz的頻率使用Flash時，訪問零等待狀態以獲得最大效率。它
提供多達3 MB的片上Flash存儲器和多達96 KB的SRAM存儲器。廣泛的連接到兩條APB總線的一系列增強型I / O和外圍設備。設備提供最多三個12位ADC，最多兩個12位DAC，最多十個通用16位定時器，兩個基本定時器加上兩個PWM高級計時器，以及標準和高級通信接口：多達三個SPI，兩個I2C，三個USART，兩個UART，兩個I2S，一個USBD，一個CAN和一個SDIO。該器件采用2.6至3.6 V電源供電，工作溫度范圍為–40至+85°C溫度范圍。多種省電模式提供最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優化，這一點尤其重要低功耗應用中的考慮因素。上述功能使GD32F103xx器件適用于廣泛的應用，
特別是在工業控制，電動機驅動器，電源監控器和警報系統等領域，消費和手持設備，POS，車載GPS，可視對講，PC外設和很快。
功能說明：GD32F103RCT6
3.1。 Arm®Cortex®-M3內核
Cortex®-M3處理器是用于嵌入式系統的最新一代Arm®處理器。
開發它是為了提供滿足MCU需求的低成本平臺
實施，同時減少了引腳數并降低了功耗
出色的計算性能和對中斷的高級系統響應。
32位Arm®Cortex®-M3處理器內核
最高108 MHz的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器（NVIC）
24位SysTick計時器
Cortex®-M3處理器基于ARMv7架構，同時支持Thumb
和Thumb-2指令集。以下列出的一些系統外圍設備也由
Cortex®-M3：GD32F103RCT6
與I代碼總線，D代碼總線，系統總線，專用總線連接的內部總線矩陣
外圍總線（PPB）和調試訪問。
嵌套向量中斷控制器（NVIC）。
閃存修補程序和斷點（FPB）。
數據觀察點和跟蹤（DWT）。
儀器跟蹤宏單元（ITM）。
嵌入式跟蹤宏單元（ETM）。
串行線JTAG調試端口（SWJ-DP）。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內存保護單元（MPU）。
3.2。片上存儲器GD32F103RCT6
高達3072 KB的閃存
高達96 KB的SRAM
Arm®Cortex®-M3處理器采用哈佛架構，可以單獨使用
總線以獲取指令并加載/存儲數據。 3072 KB的內部Flash和96 KB的內部Flash
內部SRAM最多可用于存儲程序和數據，都可以在CPU上進行訪問（R / W）
等待狀態為零的時鐘速度。表2-4。GD32F103RCT6的內存映射顯示
GD32F103RCT6系列設備的內存映射，包括代碼，SRAM，外設和
其他預定義區域。
3.3。時鐘，重置和電源管理GD32F103RCT6
內部8 MHz工廠調整的RC和外部4至16 MHz晶體振蕩器
內部40 KHz RC校準振蕩器和外部32.768 KHz晶體振蕩器
集成系統時鐘PLL
2.6至3.6 V應用電源和I / O
電源監控器：POR（上電復位），PDR（掉電復位）和低電壓
探測器（LVD）GD32F103RCT6
時鐘控制單元提供一系列頻率和時鐘功能。這些包括
內部8M RC振蕩器（IRC8M），高速晶體振蕩器（HXTAL），低速
內部40K RC振蕩器（IRC40K），低速晶體振蕩器（LXTAL），鎖相
環路（PLL），HXTAL時鐘監視器，時鐘預分頻器，時鐘多路復用器和時鐘門控
電路。 AHB，APB2和APB1域的頻率可以分別配置
預分頻器。 AHB，APB2和APB1域的最大頻率為108 MHz / 108
MHz / 54 MHz。參見圖2-8。有關詳細信息，請參見GD32F103RCT6時鐘樹。
GD32F103RCT6復位控制包括三種復位控制：電源復位，系統復位
重置和備份域重置。系統重置將重置處理器核心和外圍設備
IP組件（SW-DP控制器和備份域除外）。上電復位
（POR）和掉電復位（PDR）始終處于活動狀態，并確保啟動正確的操作
從2.6V /下降至2.6V。當VDD低于指定電壓時，器件保持復位模式
臨界點。嵌入式低壓檢測器（LVD）監控電源，比較
它達到電壓閾值并生成中斷，作為警告消息，以引導
MCU變成安全。
電源方案：GD32F103RCT6
VDD范圍：2.6至3.6 V，用于I / O的外部電源和內部穩壓器。
通過VDD引腳從外部提供。
VSSA，VDDA范圍：2.6至3.6 V，用于ADC的外部模擬電源，復位模塊，
RC和PLL。 VDDA和VSSA必須分別連接到VDD和VSS。
VBAT范圍：1.8至3.6 V，RTC電源，外部時鐘32 KHz振蕩器和
當VDD不存在時（通過電源開關）備份寄存器。
3.4。開機模式GD32F103RCT6
在啟動時，啟動引腳用于選擇以下三個啟動選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統內存啟動
從片上SRAM引導
引導加載程序位于內部引導ROM內存（系統內存）中。它用來
如果設備是USB，請使用USART0（PA9和PA10）對閃存進行重新編程。
GD32F103xF / G / I / K，USART1（PA2和PA3）也可用于啟動功能。它還可以用于傳輸和更新閃存代碼，數據和向量表部分。
默認情況下，選擇從閃存的存儲區0引導。它還支持啟動
通過在選項字節中設置一個位來從閃存的存儲體1中進行選擇。
詳細參數：GD32F103RCT6
參數名稱參數值
生命周期聯系制造商
IHS制造商GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
零件包裝代碼GD32F103RCT6
包裝說明LQFP-64
達到合規性代碼未知
風險等級5.8
最高速度（MHz）108
內存（字節）閃存256K
內存（字節）SRAM 48K
I / O最高51GD32F103RCT6
計時器GPTM（32位）
計時器GPTM（16位）4
計時器高級TM（16位）2
計時器基本TM（16位）2
計時器SysTick（24位）1
定時器WDG 2
計時器RTC 1
連接性USART
連接性I2C 2
連接性SPI 3
連接性USB 2 FS 1
連接性I2S 2
連接性比較
連接性運算放大器
模擬接口12位ADC單元（CH）3（16）
模擬接口12位DAC單元2
封裝LQFP64
以下物料均有現貨庫存：GD32F103RCT6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
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GD32F330C8T6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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