商品目錄 場效應管(MOSFET)

閾值電壓(Vgs(th)@Id) 2.5V 250μA

功率(Pd) 830mW

連續漏極電流(Id) 300mA

漏源電壓(Vdss) 60V

類型 N溝道

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω 500mA,10V

查看類似商品 FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：300mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：50pF @ 10V

功率 - 最大值：830mW

工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：SOT-23（TO-236AB）