BYN4224_SH8K5TB導讀

這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。

簡單來說電機是靠NCE80H12這種MOS管的輸出電流來驅動的，輸出電流越大（為了防止過流燒壞MOS管，控制器有限流保護），電機扭矩就強，加速就有力，所以MOS管在電動車控制器中起到非常重要的作用。

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BYS36577A

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。

勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，較終使擴散運動達到平衡）；。

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。

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APM4904KC-TRL

。MOS管寄生電容結構如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。

為了抑止MOSFET的載流才華太小和導通電阻大的難題，在大功率MOSFET中一般選用兩種技能，一種是將數百萬個小功率MOSFET單胞并聯起來，前進MOSFET的載流才華。別的一種技能就是對MOSFET的結構間斷改進，選用一種筆直V型槽結構。圖3是V型槽MOSFET結構剖面圖。

MOSFET的特性能夠用搬運特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。搬運特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時，柵極電壓UGS與相對應的漏極電流ID之間的關系曲線。 。圖3是某種場效應管的搬運特性。

N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導體作為襯底，在襯底上面用分散的方法構成兩各重摻雜的N＋區，然后在P型半導體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層，然后在兩個重摻雜的N+區上端用光刻的方法刻蝕掉二氧化硅層，暴露N+區，較終在兩個N+區的外表以及它們之間的二氧化硅外表用蒸騰或者濺射的方法噴涂一層金屬膜，這三塊金屬膜構成了MOS管的三個電極，分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。

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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

鋰電池主要由兩大塊構成，電芯和鋰電池保護板PCM。

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