BYS441_SP8K2-TB導讀

VentureCraft是在這方面打頭陣的一家公司，其在高分辨率便攜式放大器、音樂播放器和頭戴耳機放大器(包括廣受歡迎的SounDroid Vantam產品線)研發領域處于領先水平。。盡管高分辨率技術目前在音頻市場上才剛剛起步，但其演變已然展開。

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

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在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。

勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，較終使擴散運動達到平衡）；。

但在結構上，它們之間相差很大，為了更好天文解功率MOSFET的機理，首要來回想一下小功率場效應管的機理。以下以N溝道增強型小功率MOSFET的結構來說明MOS管的原理。 。功率mos管工作原理 功率MOS管是從小功率MOS管展開來的。

所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。

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AP9965GEM&特30V

為了抑止MOSFET的載流才華太小和導通電阻大的難題，在大功率MOSFET中一般選用兩種技能，一種是將數百萬個小功率MOSFET單胞并聯起來，前進MOSFET的載流才華。別的一種技能就是對MOSFET的結構間斷改進，選用一種筆直V型槽結構。圖3是V型槽MOSFET結構剖面圖。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

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NCE3401的性能參數表現還是不錯的，適用于作負載開關或脈寬調制應用，阻抗值也比較低，而且新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結功率MOSFET特色工藝技術，其部分產品的參數性能與送樣表現，可以與國外的MOS管相差無幾，比如同樣用在鋰電池保護板中，NCE3401，AO3401，IRLML5203TR，DMP3098L-7，我認為相比較來看功能可以滿足，并且價格適中的NCE3401更加合適。

NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。

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