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OB2365TAP-H

發布時間:2021/9/27 20:27:00 訪問次數:206

OB2365TAP-H_SGM8903YTS14G IC導讀

它可在1-?A負載下可提供80%的極高輕載效率,從而使設計人員能夠延長其系統的電池使用壽命,或使用更少或更小的電池來縮小其整體電源解決方案尺寸并降低成本。德州儀器(TI)于今日推出一款超低功率開關穩壓器TPS62840,其工作靜態電流(IQ)可達到60nA,僅為業界類似器件的1/3。此外,新型DC/DC轉換器的輸入電壓(VIN)范圍較寬,為1.8V至6.5V,能夠支持各種化學電池和配置。

據IC Insights統計,在過去的10年中(2009-2018年),全11球半導體制造商總共關閉或重建了97座晶圓廠。其中,關閉了42座150mm晶圓廠和24座200mm晶圓廠,而關閉的300mm晶圓廠數量僅占關閉總數的10%。。具體如下圖所示。


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BQ25606RGER

BQ25790采用2.9mm x 3.3mm、56引腳WCSP封裝,現在可從TI及其授權經銷商處購買。。BQ25792采用4mm x 4mm、29引腳QFN封裝,現在可從TI和授權經銷商處購買。完整卷軸和定制卷軸可登錄TI.com及通過其他渠道獲得,1000件起購。

DS3553 TC58NVG0S3HTA00 存儲IC SGM8904YMS10G TPD12S521DBTR RT5509WSC GM7150BC SKY77592-21 6223A-SRD D6DA1G842K2C7-Z LIS3DHTR 。

BQ25790和BQ25792提供了一節電池到四節電池充電的靈活性,同時兼容USB Type-C和USB PD輸入標準,在整個輸入電壓范圍(3.6 V至24 V)內充電電流可達5 A。充電器集成的雙輸入選擇器支持包括無線、USB、筒狀插孔和太陽能充電在內的多類電源,同時提供快速充電——30 W時效率高達97%。

新型降壓-升壓型充電器可幫助工程師減小解決方案尺寸和物料清單(BOM),是TI個完全集成下述組件的器件:開關金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測電路和雙輸入選擇驅動器。充電器可提供155 mW/mm2(100 W/in2)的功率密度,高于市場約兩倍。


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F5QA942M5M2AW

為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩,震蕩結構和外部環境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s,也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍,所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來,跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。。而震蕩結構的另一面,壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大,所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。

BQ24311DSGR TIC10024QDCPRQ1 TL331IDBVR TL331IDBVT TPS63070RNMT 。

KSZ8851SNL SY8032EABC SY8120B1ABC D5DA876M5K2P6-Z IC TC58NVG1S3ETA00 存儲IC BGS18MA14 SAFEA2G35MF0F0AR15 B8813 IC TYC0FH121642RA SGM8903YTS14G IC 。

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

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Ladder type可以用在單端(single-ended/unbalanced)和差分(balanced)信號上,而lattice type更適合用在差分(balanced)信號上。

TI新推出的搭載?BAW技術的最新款SimpleLink?多重標準MCU可集成到低功率無線射頻設備中,例如低功耗無晶體藍牙和Zigbee?技術,從而減少由外部晶體引起的無線射頻故障。


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