TPS65131RGER_LIS2HH12TR IC導讀

組件數量的減少對于諸如智能揚聲器之類的應用頗有價值；而且，隨著市場采用率的提高，這些應用產品的尺寸和成本不斷縮小。

BQ25790和BQ25792是TI首款靜態電流低于1 μA的多電芯的降壓-升壓電池充電器。通過運輸模式和關機功能將靜態電流降低多達十倍，所提供的電池待機時間比市場高至少五倍。結合極低的8mΩ電池FET電阻，工程師可進一步延長電池運行時間。

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DS3553 TC58NVG0S3HTA00 存儲IC SGM8904YMS10G TPD12S521DBTR RT5509WSC GM7150BC SKY77592-21 6223A-SRD D6DA1G842K2C7-Z LIS3DHTR 。

LSM6DSOQTR 其他傳感器 LSM6DS3TR-C DG2750DN-T1-E4 KLM8G1GEME-B041 存儲IC AR8032-BL1A RTL8201CP FSA644BUCX LIS2HH12TR IC TC58NVG0S3HTA00 TC58NVG1S3ETA00 。

BQ25790和BQ25792支持小型個人電子產品、便攜式醫療設備和樓宇自動化應用中的USB Type-C?和USB Power Delivery（PD）端口高效充電，并能將靜態待機電流降低10倍。

那么，這是不是意味著150mm晶圓正在逐步退出歷史舞臺呢？答案是否定的，150mm晶圓依然有著巨大的市場空間。行業內大量的150mm晶圓廠被關閉，越來越多的300mm晶圓廠上馬并逐步實現量產。

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”。IDC連接和智能手機半導體研究總監Philip Solis說，“新的BAW諧振器技術非常重要，因為TI正在將其集成到其硅芯片產品中，從而縮短設計時間，解決方案尺寸和元件成本。

TI高速數據和時鐘副總裁Kim Wong表示，該技術還實現了物聯網設備之間的高精度和強大通信，現在可以以不那么笨重的形式開發。

LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。

有一種方法是在震蕩結構下方形成Bragg reflector，把聲波反射到壓電層里面。Reflector由好幾層高低交替阻抗層組成，比如第一層的聲波阻抗大，第二層的聲波阻抗小，第三層聲波阻抗大，而且每層的厚度是聲波的λ/4，這樣大部分波會反射回來和原來的波疊加。這種結構整體效果相當于和空氣接觸，大部分聲波被反射回來，這種結構稱為BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator)，如下圖。

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不過薄膜結構需要足夠堅固以至于在后續工藝中不受影響。相比BAW-SMR，membrane type 較少一部分跟底下substrate接觸，不好散熱。

典型的基本結構如上圖(a)，上下金屬電極中間夾著壓電層，對應的mBVD等效電路如上圖(b)，對應的阻抗如上圖(c)，可以看出有兩個resonance頻率，串聯(fs)和并聯(fp)。工作原理如下圖。

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124/5*7 HITACHI/日立 5X7mm
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125-1R5M 臺產 125
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