FP5217XR-G1_AB1526P導讀

今天推出了業界更小的降壓-升壓電池充電器集成電路，其集成了功率路徑管理，以實現更大功率密度、通用及快速充電，充電效率高達97％。

具有通信接口的系統通常需要一個外部專用集成電路(ASIC)或專用的主機控制微處理器，但這會降低設計架構的靈活性，增加復雜性，并占用電路板上的空間。而新推出的C2000 F2838x微控制器并不依賴外部ASIC，從而減小了整體解決方案的尺寸，并減少了所用的素材方面。 。

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TPS65131RGER

TC58TEG5DCJTA00 SN74AVC2T244DQMR NCP137AFCTC110T2G KSZ8041NL IC AW5015DNR H5TQ4G63CFR-RDC 存儲IC SAFFB1G96FN0F0AR15 SAYEY707MBA0F0AR AWT6273RM20P8 AB1526P 。

DS3553 TC58NVG0S3HTA00 存儲IC SGM8904YMS10G TPD12S521DBTR RT5509WSC GM7150BC SKY77592-21 6223A-SRD D6DA1G842K2C7-Z LIS3DHTR 。

BQ25790和BQ25792支持小型個人電子產品、便攜式醫療設備和樓宇自動化應用中的USB Type-C?和USB Power Delivery（PD）端口高效充電，并能將靜態待機電流降低10倍。

新型降壓-升壓型充電器可幫助工程師減小解決方案尺寸和物料清單（BOM），是TI個完全集成下述組件的器件：開關金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測電路和雙輸入選擇驅動器。充電器可提供155 mW/mm2（100 W/in2）的功率密度，高于市場約兩倍。

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LIS3DHTR

TPS630701RNMT TPS630702RNMR TPS54218RTER TPS92692PWPR TPS56C230RJER 。

有一種方法是在震蕩結構下方形成Bragg reflector，把聲波反射到壓電層里面。Reflector由好幾層高低交替阻抗層組成，比如第一層的聲波阻抗大，第二層的聲波阻抗小，第三層聲波阻抗大，而且每層的厚度是聲波的λ/4，這樣大部分波會反射回來和原來的波疊加。這種結構整體效果相當于和空氣接觸，大部分聲波被反射回來，這種結構稱為BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator)，如下圖。

為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結構和外部環境之間必須有足夠的隔離才能得到小loss和大Q值。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來，跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。。而震蕩結構的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。

TPS60403DBVR CSD17313Q2 TPS259571DSGR TPS259571DSGT TLV3202AQDGKRQ1 。

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合適的BAW壓電材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，還要符合IC工藝技術。石英(quartz)作為常見的壓電材料，在高電壓和高壓力的情況下表現出線性反應，但還沒有合適的方法把石英做成薄膜deposit在Si襯底上。

之前提到的BAW- SMR和FBAR?filter圖中，聲波都以縱波(longitudinal)形式傳播，即粒子震動方向和波的傳播方向是平行的。也有不同結構，聲波以橫波(transverse)形式傳播。

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