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IPA70R360P7S英飛凌半導體MOSFET

發布時間:2021/10/9 23:11:00 訪問次數:216 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司




描述:IPA70R360P7S
英飛凌對反激拓撲的回答


新的 700V CoolMOS™ P7 超級結 MOSFET 系列專為滿足當今尤其是未來的反激式拓撲趨勢而開發,與當今使用的超級結技術相比,它提供了基本的性能提升,從而滿足了低功率 SMPS 市場的需求,例如手機充電器或筆記本電腦適配器。通過將客戶的反饋與 20 多年的超級結 MOSFET 經驗相結合,700V CoolMOS™ P7 可在以下方面最適合目標應用:


效率和熱量
便于使用
EMI行為


功能概要:IPA70R360P7S
極低的 FOM R DS(on) x E oss;降低 Q g、E on 和 E off
高性能技術
低開關損耗 (E oss)
高效
優異的熱性能
允許高速切換
集成保護齊納二極管
優化的 V (GS)th 為 3V,具有 ±0.5V 的極窄容差
精細畢業的作品集


好處:IPA70R360P7S
具有成本競爭力的技術
與 C6 技術相比,效率提升高達 2.4%,器件溫度降低 12K
在更高的開關速度下進一步提高效率
以更低的 BOM 成本支持更小的磁性尺寸
高達 HBM 2 級的高 ESD 耐用性
易于駕駛和設計
實現更小外形尺寸和高功率密度設計
選擇最合適的產品的絕佳選擇


潛在應用:IPA70R360P7S
充電器
適配器
電視
燈光
聲音的
輔助電源


產品屬性:IPA70R360P7S
類型描述選擇
類別 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ P7
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 700 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 12.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 360 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 16.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 517 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 26.4W(Tc)
工作溫度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
基本產品編號 IPA70R360P7S

以下物料均有現貨庫存:IPA70R360P7S
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