產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 8.6 ns
正向跨導 - 最小值: 206 S
高度: 0.83 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 5 mm
零件號別名: IRFH5010TRPBF SP001560282
單位重量: 122.136 mg

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