制造商: NXP

產品種類: 射頻(RF)雙極晶體管

RoHS:  詳細信息

晶體管類型: Bipolar Wideband

技術: Si

晶體管極性: NPN

工作頻率: 900 MHz

直流集電極/Base Gain hfe Min: 60

集電極—發射極最大電壓 VCEO: 16 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: 2 V

集電極連續電流: 80 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT89-3

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: NXP Semiconductors

集電極—基極電壓 VCBO: 24 V

直流電流增益 hFE 最大值: 130

增益帶寬產品fT: 8 GHz

最大直流電集電極電流: 300 mA

工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C

Pd-功率耗散: 2000 mW

產品類型: RF Bipolar Transistors

工廠包裝數量: 1000

子類別: Transistors

類型: Wideband RF Transistor

零件號別名: 934067977115

單位重量: 40.337 mg