BYF35526A_STS8DNH3LL導讀

假定導電溝道的載流子是電子，則稱為N溝道；假定載流子是空穴，則稱為P溝道。根據導電溝道的載流子能夠劃分為N溝道和P溝道。MOS管是一種單極性載流子參與導電的半導體器件。

所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。

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BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

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N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導體作為襯底，在襯底上面用分散的方法構成兩各重摻雜的N＋區，然后在P型半導體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層，然后在兩個重摻雜的N+區上端用光刻的方法刻蝕掉二氧化硅層，暴露N+區，較終在兩個N+區的外表以及它們之間的二氧化硅外表用蒸騰或者濺射的方法噴涂一層金屬膜，這三塊金屬膜構成了MOS管的三個電極，分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。

圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

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MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。。

NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。

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