制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包裝
托盤
零件狀態
在售
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
300A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 68mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
35000pF @ 10V
功率 - 最大值
1875W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
模塊
基本產品編號
BSM300
