產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 16.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 230 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
系列: CoolMOS C6
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD65R25C6XT SP000898654 IPD65R250C6XTMA1
單位重量: 330 mg

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

BQ27410DRZR-G1 TI
BQ27410DRZT-G1 TI
BQ27411DRZR TI
BQ27411DRZR-G1C TI
BQ27411DRZR-G1D TI
BQ27421YZFR-G1A TI
BQ27421YZFR-G1D TI
BQ27421YZFT-G1A TI
BQ27421YZFT-G1D TI
BQ27425YZFR-G1 TI
BQ27425YZFR-G2A TI
BQ27425YZFR-G2B TI
BQ27425YZFT-G1 TI
BQ27425YZFT-G2A TI
BQ27426YZFR TI
BQ27441DRZR-G1A TI
BQ27441DRZR-G1B TI
BQ27441DRZT-G1A TI
BQ27500DRZR TI
BQ27500DRZR-V100 TI
BQ27500DRZR-V120 TI
BT412B TI
BAS321 TI
BQ24702PWR TI
BQ24703 TI
BQ24703PW TI
BQ24703PWR TI
BQ24703PWRG4 TI
BQ24703RHDR TI
BQ24703RHDRG4 TI
BQ24704RGER TI
BQ24704RGET TI
BQ24705REGR TI
BQ24705RGER TI
BQ24705RGET TI
BQ24707ARGRR TI
BQ24707RGRR TI
BQ24707RGRT TI
BQ24715RGRR TI
BQ24715URUYR TI
BQ24717RGRR TI
BQ24721CHRBR TI
BQ24721CRHBR TI
BQ24721CRHBRG4 TI
BQ24721CRHBT TI
BQ24721CRHR TI
BQ24721RHBR TI
BQ24721RHBRG4 TI
BQ24721RHBT TI
BQ24725ARGR TI