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NTHD3101FT1G

發布時間:2021/10/18 14:44:00 訪問次數:214 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

NTHD3101FT1G



製造商: onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: ChipFET-8
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 4.4 A
Rds On - 漏-源電阻: 64 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V
Qg - 閘極充電: 7.4 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1.1 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 12.4 ns
互導 - 最小值: 8 S
高度: 1.05 mm
長度: 3.05 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 11.7 ns
系列: NTHD3101F
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
標準斷開延遲時間: 16 ns
標準開啟延遲時間: 5.8 ns
寬度: 1.65 mm
每件重量: 85 mg

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