BYH6658_AP9964GM導讀
MOS管是電壓驅動型器件,只要柵極G和源級S間給一個適當電壓,源級S和D間導電通路就形成。作為驅動部分的開關管,MOS管的主要被關注點是耐壓,耐流值以及開關速度。
上面就是功率mos管NCE80H12的規格書,我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。
AP9964GM" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
AP4228M
BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。
至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。
MOS管規格書中有三個寄生電容參數,分別是:輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數具體到管子的本體中,分別代表什么?是如何形成的?。
勢壘電容:功率半導體中,當N型和P型半導體結合后,由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中,因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區(該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行,較終使擴散運動達到平衡);。
AP9964GM" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
UT4812ZG-S08-R
BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 BYM31013A BYH31015-X BYH31015 BYS31030 BYF31040 。
BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020 BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。
圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所,緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上,溝道不能做得很短,溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的,溝道電流是外表電流,要加大電流容量,就要加大芯片面積,這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。
在低UDS分開夾斷電壓較大時,MOS管相當于一個電阻,此電阻跟著UGS的增大而減小。截止區(UGS)。在導電溝道挨近夾斷時,增長變緩。圖MOS管的漏極輸出特性場效應晶體管的輸出特性能夠劃分為四個區域:可變電阻區、截止區、擊穿區和恒流區。 可變電阻區(UDS 在這個區域內,UDS增加時,ID線性增加。
AP9964GM" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
電芯相當于鋰電池的心臟,而鋰電池保護板主要由保護芯片(或管理芯片)、MOS管、電阻、電容和PCB板等構成。
NCE3401的性能參數表現還是不錯的,適用于作負載開關或脈寬調制應用,阻抗值也比較低,而且新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結功率MOSFET特色工藝技術,其部分產品的參數性能與送樣表現,可以與國外的MOS管相差無幾,比如同樣用在鋰電池保護板中,NCE3401,AO3401,IRLML5203TR,DMP3098L-7,我認為相比較來看功能可以滿足,并且價格適中的NCE3401更加合適。
相關資訊