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HM4884A

發布時間:2021/10/19 16:28:00 訪問次數:170 發布企業:深圳市百域芯科技有限公司

BYG6658_HM4884A導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外,南山電子還提供風華阻容感,長晶二三極管MOS管,愛普生有源無源晶振等。

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管:NCE3401。


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BYF36568A

但在結構上,它們之間相差很大,為了更好天文解功率MOSFET的機理,首要來回想一下小功率場效應管的機理。 。以下以N溝道增強型小功率MOSFET的結構來說明MOS管的原理。功率mos管工作原理 功率MOS管是從小功率MOS管展開來的。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。

MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關,減少導電損耗 4、高雪崩電流。

功率MOSFET普通很少選用P溝道,由于空穴的遷移率比電子的遷移率低,相同的溝道尺寸,P溝道的晶體管比N溝道的導通電阻大。 。依照導電溝道和溝道構成的過程兩點來分類,MOS管能夠分為:P溝增強型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強型MOS管和N溝耗盡型MOS管。圖四類MOSFET和它們的圖形符號。


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FDS6900-NL

MOS管寄生電容結構如下,其中,多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導體作為襯底,在襯底上面用分散的方法構成兩各重摻雜的N+區,然后在P型半導體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層,然后在兩個重摻雜的N+區上端用光刻的方法刻蝕掉二氧化硅層,暴露N+區,較終在兩個N+區的外表以及它們之間的二氧化硅外表用蒸騰或者濺射的方法噴涂一層金屬膜,這三塊金屬膜構成了MOS管的三個電極,分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。

圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所,緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上,溝道不能做得很短,溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的,溝道電流是外表電流,要加大電流容量,就要加大芯片面積,這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020 BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

NCE3401的性能參數表現還是不錯的,適用于作負載開關或脈寬調制應用,阻抗值也比較低,而且新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結功率MOSFET特色工藝技術,其部分產品的參數性能與送樣表現,可以與國外的MOS管相差無幾,比如同樣用在鋰電池保護板中,NCE3401,AO3401,IRLML5203TR,DMP3098L-7,我認為相比較來看功能可以滿足,并且價格適中的NCE3401更加合適。


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