WNMD2158-8/TR_SI4904DY-T1-E3導讀

為公司命名時創始人融入了他們對過去的緬懷、對未來的期望，一個簡單的名字，它的背后承載著許多不為人知的故事……。電子行業中有許多的知名品牌，每一個品牌就如同人名，其來源與命名都帶有各自獨特的風格。它們有今時今日的成功，創始人功不可沒。

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

SI4904DY-T1-E3" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />

FDS6892AS-NL

勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，較終使擴散運動達到平衡）；。

。MOS管的導電溝道，能夠在制作過程中構成，也能夠通過接通外部電源構成，當柵壓等于零時就存在溝道（即在制作時構成的）稱為耗盡型，在施加外部電壓后才構成溝道的稱為增強型。

BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。

SI4904DY-T1-E3" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

NTMD5836NLR2G

NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。

圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

SI4904DY-T1-E3" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

相關資訊