AP9926EM_4946BW導讀
假定導電溝道的載流子是電子,則稱為N溝道;假定載流子是空穴,則稱為P溝道。根據導電溝道的載流子能夠劃分為N溝道和P溝道。MOS管是一種單極性載流子參與導電的半導體器件。
為公司命名時創始人融入了他們對過去的緬懷、對未來的期望,一個簡單的名字,它的背后承載著許多不為人知的故事……。電子行業中有許多的知名品牌,每一個品牌就如同人名,其來源與命名都帶有各自獨特的風格。它們有今時今日的成功,創始人功不可沒。
4946BW" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
BYM826
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。
原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS。
BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。
4946BW" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
AO4930
BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020 BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
MOS管寄生電容結構如下,其中,多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。
圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所,緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上,溝道不能做得很短,溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的,溝道電流是外表電流,要加大電流容量,就要加大芯片面積,這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。
4946BW" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
電芯相當于鋰電池的心臟,而鋰電池保護板主要由保護芯片(或管理芯片)、MOS管、電阻、電容和PCB板等構成。
相關資訊