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制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 160 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 190 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 460 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 54 ns
正向跨導 - 最小值: 14 S
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 120 ns
系列: IRFP
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 48 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
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