APM9926AKC-TRL_9965GEM導讀

針對這種需求，新潔能生產出內阻小，抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12，NCE80H12的導通電阻小于6mΩ，輸出電流可達120A，電機扭矩較好，。

而電動車上上用的功率mos是立體結構。我們所見的mos管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。小功率mos是平面型結構。

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BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。

MOS管規格書中有三個寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。

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在低UDS分開夾斷電壓較大時，MOS管相當于一個電阻，此電阻跟著UGS的增大而減小。截止區（UGS）。在導電溝道挨近夾斷時，增長變緩。圖MOS管的漏極輸出特性場效應晶體管的輸出特性能夠劃分為四個區域：可變電阻區、截止區、擊穿區和恒流區。 可變電阻區（UDS 在這個區域內，UDS增加時，ID線性增加。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

別的一種技能就是對MOSFET的結構間斷改進，選用一種筆直V型槽結構。為了抑止MOSFET的載流才華太小和導通電阻大的難題，在大功率MOSFET中一般選用兩種技能，一種是將數百萬個小功率MOSFET單胞并聯起來，前進MOSFET的載流才華。圖3是V型槽MOSFET結構剖面圖。

擴散電容：當外加正向電壓時，靠近耗盡層交界面的非平衡少子濃度高，遠離非平衡少子濃度低，且濃度自高到底逐漸衰減直到0。該現象中電荷積累和釋放的過程與電容器充放電過程相同，稱為擴散電容。當外加正向電壓增大時，非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大，外加電壓減小時，變化相反。

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而鋰電池保護板的主要作用：1過充電保護， 2短路保護， 3過電流保護，4過放電保護， 5正常狀態。

電芯相當于鋰電池的心臟，而鋰電池保護板主要由保護芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構成。

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