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IXTH30N60L2

發布時間:2021/10/25 17:21:00 訪問次數:242 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

IXTH30N60L2


製造商: IXYS
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 30 A
Rds On - 漏-源電阻: 240 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 335 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 540 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: Linear L2
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 43 ns
互導 - 最小值: 10 S
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 65 ns
系列: IXTH30N60
原廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Linear L2 Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 123 ns
標準開啟延遲時間: 43 ns
寬度: 5.3 mm
每件重量: 6 g

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