onsemi 的 SiC MOSFET 提高了對意外輸入電壓尖峰或振鈴的穩健性

onsemi 的1200 V M3S 平面 SiC MOSFET 系列針對快速開關應用進行了優化。平面技術在負柵極電壓驅動下可靠地工作并關閉柵極上的尖峰。該系列在使用 18 V 柵極驅動器驅動時具有最佳性能，但也適用于 15 V 柵極驅動器。

特征 用于低共源電感的 TO247-4LD 封裝 15V 至 18V 柵極驅動 M3S 技術：22 mΩ RDS(ON)具有低 EON和 EOFF損耗 100% 雪崩測試 減少 EON損失 18 V 以獲得最佳性能；15 V 與 IGBT 驅動電路兼容 提高功率密度 提高了對意外輸入電壓尖峰或振鈴的穩健性 應用 交直流轉換 直流/交流轉換 直流/直流轉換 UPS 電動車充電器 太陽能逆變器 儲能系統