8兆位的CMOS串行閃存

功能

一般來說

單次電源的操作

-2.7到3.6伏特的讀取、擦除和程序操作

支持串行外圍設備接口——模式0和模式3

8388608x1位結構或4194304x2位（雙輸出模式）結構

256個等扇區，每個4K字節

-任何部門都可以單獨刪除

16個相等的塊，每個塊有64K字節

-任何塊都可以單獨刪除

SBAR項目能力

-字節基

-基本頁（

256字節）

從-1V到Vcc+1V的鎖定裝置被保護到100mA

性能

BUR高性能

-快速訪問時間：86MHz串行時鐘

-雙輸出模式的串行時鐘：80MHz

-快速程序時間：0.6ms（類型）和3毫秒（最長時間）/page

-字節程序時間：9us（典型）

-快速刪除時間：40ms（類型）/sector；0.4s(typ.)/block

BUR低功耗

-低活動讀取電流：12mA（最大值）在86MHz的電壓下

-低活動編程電流：15mA（類型）

-低活動部門/塊擦除電流：9mA（類型）

-低備用電流：15uA（典型類型）

-深度斷電模式2uA（典型類型）

典型的10萬個擦除/程序周期

20年的數據保存時間

軟件功能

SUB輸入數據格式

-1字節命令代碼

SUB高級安全功能

-塊鎖保護

BP2-BP0狀態位定義了針對程序和指令擦除

-針對唯一標識符的附加512位安全的OTP

自動擦除和自動程序算法

-自動擦除和驗證選定扇區中的數據

-通過自動計時程序脈沖寬度（首先要編程的任何頁面都應該具有處于擦除狀態的頁面）

SUR狀態注冊功能

SUB電子標識

-JEDEC1字節制造商ID和2字節設備ID

-針對1字節的設備ID的RES命令

-用于1字節制造商ID和1字節設備ID的REMS命令

支持串行Flash可發現參數(SFDP)模式

更多型號

MX25L8006EM2I-12G

MX25L12835FM2I-10G

MX25U12835FBBI-10G

MX25U12832FZNI02

MX25L6433FM2I-08G

MX25U12843GBBI00

KH25L12833FM2I-10G

MX30LF1G18AC-TI

MX25R4035FZUIH1

MX25U25645GBFI00

MX25L12833FM2I-10G

MX25L3236FM2I-08G

MX25L25645GZ2I-08G

MX35LF1GE4AB-Z4I

MX25U3232FZBI02

MX25U2033EM1I-12G

MX25L6406EM2I-12G

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