製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續漏極電流: 13 A
Rds On - 漏-源電阻: 220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V
Qg - 閘極充電: 8.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 75 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSiC
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12.7 ns
互導 - 最小值: 2 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 1 ns
系列: IMZ120RXM1H
原廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 9.8 ns
標準開啟延遲時間: 4.8 ns
零件號別名: IMZ120R220M1H SP001946190
每件重量: 6 g