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IPG20N10S4L-22

發布時間:2021/11/1 10:42:00 訪問次數:198 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 20 A
Rds On - 漏-源電阻: 20 mOhms, 20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.1 V
Qg - 閘極充電: 27 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 60 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Dual
下降時間: 18 ns, 18 ns
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns, 3 ns
系列: XPG20N10
原廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns, 30 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns, 5ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SP000866570 IPG2N1S4L22XT IPG20N10S4L22ATMA1
每件重量: 97.670 mg

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